Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren

BU2527DX

BU2527DX
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BU2527DX. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA hi-re (F). Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.

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Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: High-Speed. Maximaler hFE-Gewinn: 11. Minimaler hFE-Gewinn: 3. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 36A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5696. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 85W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.3us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PMLH. Transistortyp: NPN. VCBO: 1600V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 5V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Widerstand: ja. CE-Diode: ja
2SC5696
Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: High-Speed. Maximaler hFE-Gewinn: 11. Minimaler hFE-Gewinn: 3. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 36A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5696. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 85W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.3us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PMLH. Transistortyp: NPN. VCBO: 1600V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 5V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Widerstand: ja. CE-Diode: ja
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