Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.58€ | 1.90€ |
5 - 9 | 1.50€ | 1.80€ |
10 - 24 | 1.42€ | 1.70€ |
25 - 49 | 1.34€ | 1.61€ |
50 - 99 | 2.24€ | 2.69€ |
100 - 226 | 2.80€ | 3.36€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.58€ | 1.90€ |
5 - 9 | 1.50€ | 1.80€ |
10 - 24 | 1.42€ | 1.70€ |
25 - 49 | 1.34€ | 1.61€ |
50 - 99 | 2.24€ | 2.69€ |
100 - 226 | 2.80€ | 3.36€ |
BUT11A. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 4us. Tf(min): 0.8us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 19:25.
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