Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

BUT11A

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BUT11A. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 4us. Tf(min): 0.8us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 19:25.

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