Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BUZ102S

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BUZ102S. C(in): 1220pF. Kosten): 410pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 52A. IDSS (max): 52A. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.018 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS, PowerMosfet. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): P-TO263-3-2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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