Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V - BUZ102S

N-Kanal-Transistor, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V - BUZ102S
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N-Kanal-Transistor, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V - BUZ102S. N-Kanal-Transistor, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 52A. IDSS (max): 52A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.018 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): P-TO263-3-2. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1220pF. Kosten): 410pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS, PowerMosfet. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 02:25.

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