BUZ12
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.30€ | 3.96€ |
| 5 - 9 | 3.14€ | 3.77€ |
| 10 - 24 | 2.97€ | 3.56€ |
| 25 - 49 | 2.81€ | 3.37€ |
| 50 - 99 | 2.74€ | 3.29€ |
| 100 - 249 | 2.67€ | 3.20€ |
| 250+ | 2.58€ | 3.10€ |
| Menge | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.30€ | 3.96€ |
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| 25 - 49 | 2.81€ | 3.37€ |
| 50 - 99 | 2.74€ | 3.29€ |
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BUZ12. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 42A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.028 Ohms. Technologie: V-MOS. Spannung Vds(max): 50V. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 21:25.
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C(in): 1470pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 63us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 94W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0175 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS
C(in): 1470pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 63us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 94W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0175 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS
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