Diode BYT30P-1000, 30A, 200A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1000V

Technische Produktbeschreibung (BYT30P-1000):

Diode BYT30P-1000, 30A, 200A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 200A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Metallteil, das mit der Kathode verbunden ist. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 100uA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms. Trr-Diode (Min.): 70 ns