Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

EGP10B

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EGP10B. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: 30Ap/8.3ms. Hinweis: Hocheffiziente Gleichrichter. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.

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Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Recovery“. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms
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Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Recovery“. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms
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Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V
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Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V
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