ERA22-08
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.24€ | 1.49€ |
| 5 - 9 | 1.18€ | 1.42€ |
| 10 - 24 | 1.12€ | 1.34€ |
| 25 - 49 | 1.06€ | 1.27€ |
| 50 - 99 | 1.03€ | 1.24€ |
| 100 - 249 | 1.01€ | 1.21€ |
| 250+ | 0.96€ | 1.15€ |
| Menge | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.24€ | 1.49€ |
| 5 - 9 | 1.18€ | 1.42€ |
| 10 - 24 | 1.12€ | 1.34€ |
| 25 - 49 | 1.06€ | 1.27€ |
| 50 - 99 | 1.03€ | 1.24€ |
| 100 - 249 | 1.01€ | 1.21€ |
| 250+ | 0.96€ | 1.15€ |
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
ERA22-08. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. VRRM: 800V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.
Gleichwertige Produkte :
BYD33M
Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. VorwÃ...
Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 1uA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-81. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-81. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms
Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 1uA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-81. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-81. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms
Wir empfehlen außerdem :
BYD33J
Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funkt...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BA159
Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halb...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BOX-M100-80-40
Material: Aluminium/Stahl. Innenmaße: 94x74x36mm. Funktion: Gehäuse für elektronisches Instrument...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
S2055N-TOS
Kosten): 9pF. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Mont...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
2N5415
C(in): 75pF. Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Maximaler...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
TDA4660
Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
2SK1120
Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Silicon N Channel Mos. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Ge...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
Informationen und technische Hilfe
Zahlungs-und Lieferbedingungen
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.