Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BYD33M. Vorwärtsstrom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Gehäuse: SOD-81. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-81. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Originalprodukt vom Hersteller Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 00:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Gleichrichtung und Schaltdiode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tr: 200 ns. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V
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Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15. VRRM: 1000V. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V
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Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15. VRRM: 1000V. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V
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