Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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FJP13009

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FJP13009. Kosten): 180pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 17. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13009. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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