FET- und MOSFET-Transistoren

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, -100V, -0.68A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.68A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP316. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.2 Ohms @ -0.61A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 370pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, -250V, -0.26A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.26A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP92P. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 12 Ohms @ -0.26A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 101 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 104pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-92, -50V, -170mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -170mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSS110. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 45pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.63W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 130mA. IDSS (max): 46.4k Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 50V. C(in): 25pF. Kosten): 15pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Id(imp): 520mA. ID (T=100°C): 75mA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11W. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Einschaltwiderstand Rds On: 6 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 7 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: „Vertikaler D-MOS-Transistor im Erweiterungsmodus“. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 11W. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 13. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 3 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 7 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 45pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.18A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.5 Ohms @ -0.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.1V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 48 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 36pF

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: Pd (Verlustleistung, max). Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 3.6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 12 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 36pF

P-Kanal-Transistor, 8A, 10mA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 734pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 120ns. Technologie: P-Kanal-MOSFET-Leistungstransistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.15V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BUZ901. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1802pF. Kosten): 415pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 9A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P3020LS. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0116 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 46 ns. Td(on): 5.1 ns. Technologie: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Verschiedenes: Schnelle Schaltgeschwindigkeit, geringer Eingangs-/Ausgangsverlust. Funktion: Niedriger Einschaltwiderstand, niedrige Gate-Schwellenspannung, niedrige Eingangskapazität. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Spannung Vds(max): 200V. Pinbelegung: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 1850pF. Kosten): 850pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Verschiedenes: HI-FI-Leistungsverstärker. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 105 ns. Td(on): 150 ns. Technologie: P-Kanal-MOSFET-Leistungstransistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.1V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ECW20N20. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. Pinbelegung: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Verschiedenes: HI-FI-Leistungsverstärker. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: P-Kanal-MOSFET-Leistungstransistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.15V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ECX10N20. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 4.3A, 1uA, TSOP, SUPERSOT-6, 35V. ID (T=25°C): 4.3A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): SUPERSOT-6. Spannung Vds(max): 35V. C(in): 530pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 16 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 365P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 365 P. Anzahl der Terminals: 6. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench® MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Wechselrichter, Netzteile. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23/6, -20V, -4.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/6. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Herstellerkennzeichnung: .638. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 33 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1160pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.6W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 4A, 10uA, TSOP, SUPERSOT-6, 20V. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): SUPERSOT-6. Spannung Vds(max): 20V. C(in): 700pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 642. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 642. Anzahl der Terminals: 6. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 120ns. Td(on): 6 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Funktion: Lastschalter, Batterieschutz. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

P-Kanal-Transistor, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: SSOT. Gehäuse (laut Datenblatt): SUPERSOT-6. Spannung Vds(max): 20V. C(in): 630pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 17 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. IDss (min): 250uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code FDC642P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDC642P. Anzahl der Terminals: 6. Pd (Verlustleistung, max): 1.2W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0525 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 23.5 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Funktion: Lastschalter, Batterieschutz. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 58A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 58A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 2085pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Hochleistungs-Trenchtechnik“. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 50A. Hinweis: Transistor mit Logikpegel-Gate. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDD4141. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 69W. Einschaltwiderstand Rds On: 12.3m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: extrem niedriger RDS(on)-Widerstand. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 15A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. RoHS: ja. C(in): 759pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 15A. IDss (min): 1uA. Hinweis: Transistor mit Logikpegel-Gate. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDD5614P. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.076 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 40A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 40A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1715pF. Kosten): 440pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 26 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 11A. Hinweis: Transistor mit Logikpegel-Gate. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 52W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 43 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -12V, -2.6A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 306. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ -2.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 61 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1138pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. ID (T=25°C): 1.6A. IDSS (max): 0.1uA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Spannung Vds(max): 20V. C(in): 451pF. Kosten): 75pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Batteriemanagement. Id(imp): 5A. IDss (min): n/a. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 338. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.088 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 16 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Specified PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V

P-Kanal-Transistor, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v. ID (T=25°C): 1.5A. IDSS: 10uA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 182pF. Kosten): 56pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Single P-Channel, Logic Level. Id(imp): 5A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 358. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.105 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -60V, -1.25A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.25A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 618. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.185 Ohms @ -1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 16.5 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 430pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1604pF. Kosten): 408pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 50A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 42 ns. Td(on): 13 ns. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: P-Kanal. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 2010pF. Kosten): 590pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 36ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 50A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 100 ns. Td(on): 12 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: P-Kanal. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1385pF. Kosten): 275pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Batterieladeregler. Id(imp): 50A. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: P-Kanal. Spec info: HBM ESD-Schutzart von 3,8 kV. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: ja