Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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FJAF6810

FJAF6810
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FJAF6810. Konditionierung: Kunststoffrohr. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Siebdruck . Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.

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Kosten): 1.6pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Funktion: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Produktionsdatum: 2014/17. Maximaler hFE-Gewinn: 8.5. Minimaler hFE-Gewinn: 6. Kollektorstrom: 14A. Ic(Impuls): 21A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 62W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Kosten): 1.6pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Funktion: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Produktionsdatum: 2014/17. Maximaler hFE-Gewinn: 8.5. Minimaler hFE-Gewinn: 6. Kollektorstrom: 14A. Ic(Impuls): 21A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 62W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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FJAF6812

FJAF6812

Konditionierung: Kunststoffrohr. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablen...
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Konditionierung: Kunststoffrohr. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6812. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Siebdruck J6812. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-Diode: ja
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Konditionierung: Kunststoffrohr. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6812. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Siebdruck J6812. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-Diode: ja
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Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 0.2us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1550V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 0.2us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1550V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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