Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V - FJAF6812

NPN-Transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V - FJAF6812
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NPN-Transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V - FJAF6812. NPN-Transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. CE-Diode: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 24A. Hinweis: Siebdruck J6812. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6812. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 17:25.

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NPN-Transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Kosten): 500pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Spec info: 0.1...0.3us. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 6V
KSD5703
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