Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V - FJP13007H2

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V - FJP13007H2
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NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V - FJP13007H2. NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 110pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 39. Minimaler hFE-Gewinn: 26. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13007-2. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 21:25.

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NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 14 MHz. Funktion: Schaltkreise. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Bipolarer Leistungstransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 9V
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