Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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FQPF8N60C

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FQPF8N60C. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQPF8N60C. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 45 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 170 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1255pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 81 ns. Td(on): 16.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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C(in): 1580pF. Kosten): 135pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 690 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Produktionsdatum: 201432. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 59W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. G-S-Schutz: NINCS
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