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Generic 2SK809 N-Kanal Power MOSFET 800V 5A
Produktreferenz : 2SK809
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Technische Produktbeschreibung (2SK809):
Generic 2SK809 N-Kanal Power MOSFET. Maximale Drain-Source-Spannung Vds(max): 800V. Maximaler Drain-Source-Leckstrom Idss: 5A. Drainstrom Id (T=25°C): 5A. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Kanal MOSFET Transistor. Technologie: V-MOS. Menge pro Gehäuse: 1. Maximale Verlustleistung: 100W.