Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFP140N

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IRFP140N. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.052 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 31A. Pd (Verlustleistung, max): 131W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.51 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 100V
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