Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IXFX34N80

IXFX34N80
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IXFX34N80. C(in): 7500pF. Kosten): 920pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 136A. ID (T=25°C): 34A. IDSS (max): 2mA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 560W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.24 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: PLUS247. Gehäuse (laut Datenblatt): PLUS-247 (TO247 ohne Befestigungsloch). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 5V/ns. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 19:25.

Technische Dokumentation

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