Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IXTQ460P2

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IXTQ460P2. C(in): 2890pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 24A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 480W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PolarP2TM Power MOSFET. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Einschaltwiderstand Rds On: 270 milliOhms. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 19:25.

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