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Microsemi MSC030SDA120B SiC Schottky-Diode 1200V 30A TO-247
Produktreferenz : MSC030SDA120B
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Technische Produktbeschreibung (MSC030SDA120B):
Der MSC030SDA120B ist eine Hochleistungs-Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode (SBD), hergestellt von Microsemi. Sie verfügt über eine Nennspannung von 1200 V und einen Nennstrom von 30 A. Gekapselt in einem TO-247-Gehäuse, eignet sie sich für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen.