Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MJ15022-ONS

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MJ15022-ONS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15023. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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