Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

MJE2955T

MJE2955T
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Menge exkl. MwSt inkl. MwSt
1 - 4 0.70€ 0.84€
5 - 9 0.66€ 0.79€
10 - 24 0.63€ 0.76€
25 - 49 0.59€ 0.71€
50 - 99 0.58€ 0.70€
100 - 249 0.57€ 0.68€
250 - 506 0.61€ 0.73€
Menge U.P
1 - 4 0.70€ 0.84€
5 - 9 0.66€ 0.79€
10 - 24 0.63€ 0.76€
25 - 49 0.59€ 0.71€
50 - 99 0.58€ 0.70€
100 - 249 0.57€ 0.68€
250 - 506 0.61€ 0.73€
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Menge auf Lager : 506
Set mit 1

MJE2955T. Gehäuse: TO-220. Widerstand B: Leistungstransistor. BE-Widerstand: -70V. C(in): -10A. Kosten): 90W. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE3055T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

Gleichwertige Produkte :

Menge auf Lager : 96
MJE2955T-CDIL

MJE2955T-CDIL

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: für Hi-Fi-Audioverstärker ...
MJE2955T-CDIL
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: für Hi-Fi-Audioverstärker und Schaltregler. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE3055T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
MJE2955T-CDIL
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: für Hi-Fi-Audioverstärker und Schaltregler. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE3055T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
Set mit 1
0.90€ inkl. MwSt
(0.75€ exkl. MwSt)
0.90€

Informationen und technische Hilfe

Telefonisch :

Zahlungs-und Lieferbedingungen

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!

Abonnieren Sie den Newsletter

Ich stimme dem Empfang von E-Mails zu und verstehe, dass ich mich nach der Registrierung jederzeit abmelden kann.

Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.