Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MJE2955T-CDIL

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MJE2955T-CDIL. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: für Hi-Fi-Audioverstärker und Schaltregler. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE3055T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.

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Gehäuse: TO-220. Widerstand B: Leistungstransistor. BE-Widerstand: -70V. C(in): -10A. Kosten): 90W. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE3055T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Gehäuse: TO-220. Widerstand B: Leistungstransistor. BE-Widerstand: -70V. C(in): -10A. Kosten): 90W. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE3055T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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