MOSFET-Steuerung

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +6.1V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +6.1V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C. Mindestversorgungsspannung (V): +12.6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C. Mindestversorgungsspannung (V): +12V. Maximale Versorgungsspannung (V): +28V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +6.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +6.1V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +12V. Maximale Versorgungsspannung (V): +28V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V

Hinweis: dual, nicht invertierend. Hinweis: 1.5A-peak output current. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 4.5...18V. Versorgungsspannung: 22V. Funktion: MOSFET-Treiber, Taktleitungstreiber

RoHS: ja. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Hinweis: invertierend + nicht invertierend. Hinweis: 1.5A-peak output current. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 4.5...18V. Versorgungsspannung: 22V. Funktion: MOSFET-Treiber, Taktleitungstreiber

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V

Hinweis: invertierend + nicht invertierend. Hinweis: 1.5A-peak output current. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 4.5...18V. Versorgungsspannung: 22V. Funktion: MOSFET-Treiber, Taktleitungstreiber

Hinweis: invertierend + nicht invertierend. Hinweis: 1.5A-peak output current. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 4.5...18V. Versorgungsspannung: 22V. Funktion: MOSFET-Treiber, Taktleitungstreiber

Hinweis: invertierend + nicht invertierend. Hinweis: 1.5A-peak output current. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 4.5...18V. Versorgungsspannung: 22V. Funktion: MOSFET-Treiber, Taktleitungstreiber

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP16. Gehäuse (JEDEC-Standard): DIP. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 16. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +13.6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP28. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 28. Schaltungstyp: 3-Phasen-MOSFET/IGBT-Brückentreiber. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP16. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 16. Schaltungstyp: Darlington-Transistor-Array. Anzahl der Kreise: 8:1. Art des Eingangs: TTL. Maximale Ausgangsspannung: TTL. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.75V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.25V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP16. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 16. Schaltungstyp: Transistorarray. Anzahl der Kreise: 7. Art des Eingangs: 0.6V/2.5V. Maximale Ausgangsspannung: 50V. Maximaler Ausgangsstrom (A): 0.5A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +50V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP16. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 16. Schaltungstyp: Transistorarray. Anzahl der Kreise: 7. Art des Eingangs: 1V/7V. Maximale Ausgangsspannung: 50V. Maximaler Ausgangsstrom (A): 0.5A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +50V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP18. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 18. Schaltungstyp: Transistorarray. Anzahl der Kreise: 8:1. Art des Eingangs: 0.6V/2.5V. Maximale Ausgangsspannung: 50V. Maximaler Ausgangsstrom (A): 0.5A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +50V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V

RoHS: ja. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Hinweis: Non Inverting. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C. Hinweis: High-Speed