MOSFET-Steuerung

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP28. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 28. Schaltungstyp: 3-Phasen-MOSFET/IGBT-Brückentreiber. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +12V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/1200V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Funktion: „Effiziente Leistungs-MOSFET- und IGBT-Schaltung“. Hinweis: 4A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers. Hinweis: High-Speed. Hinweis: tr 9ns, tf 8ns (Cload=1000pF Vcc=18v). Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: 4.5...35V. Versorgungsspannung: 40V

Anzahl der Terminals: 20. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-20

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP20. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 20. Schaltungstyp: PFC Controller. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +14.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +19.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage

RoHS: ja. Funktion: „Dualer Hochspannungs-Halbbrückentreiber“. Hinweis: Vout 580V. Hinweis: Switching times 50/30ns. Hinweis: Schaltfrequenz 400kHz. Hinweis: Ruhestrom 100uA. Äquivalente: L6384ED013TR. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 750mW. Spec info: verbesserte Version von L6384D. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -45...+125°C. VCC: 0.3...14.6V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +9.1V. Maximale Versorgungsspannung (V): +17V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -45°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16.6V/500V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): SO-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO20. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 20. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 4. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP16. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 16. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 2. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Leistungstreiber-IC. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MAX4928CPA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 742mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C. VCC: 4.5...18V. Versorgungsspannung: 20V

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Diodenleistung: 471mW. Funktion: Leistungstreiber-IC. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MAX4928ESA. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 4.5...18V. Versorgungsspannung: 20V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSSOP20. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 20. Schaltungstyp: Treiber . Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +2.3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 2. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 2. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 2. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C