Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MPSA92

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MPSA92. Konditionierung: Rolle. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2000. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MPSA42. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

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Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 830mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF420. CE-Diode: ja
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