N-Kanal-FETs und MOSFETs - RPtronics. Seite 11 von 52

BUZ53A

N-Kanal-Transistor BUZ53A, 2.6A, 2.6A, 1000V. ID (T=25°C): 2.6A. IDSS (max): 2.6A. Spannung Vds(max): 1000V. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max)...

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BUZ72A

N-Kanal-Transistor BUZ72A, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse...

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BUZ73LH

N-Kanal-Transistor BUZ73LH, TO-220AB, 200V. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Cis...

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BUZ74

N-Kanal-Transistor BUZ74, TO-220AB, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V, 500V. Gehäuse: TO-220AB. ID (T=100°C): 1.5A. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS (max): 2.4A. Einschaltwidersta...

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BUZ76

N-Kanal-Transistor BUZ76, 2A, 3A, 3A, 1.8 Ohms, 400V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 3A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.8 Ohms. Spannung Vds(max): 400V. Funktion: N-MOSFET-Transistor....

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BUZ76A

N-Kanal-Transistor BUZ76A, TO-220AB, 400V. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-...

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BUZ77A

N-Kanal-Transistor BUZ77A, 1.7A, 2.7A, 2.7A, 4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.7A. IDSS (max): 2.7A. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (la...

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BUZ77B

N-Kanal-Transistor BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse...

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BUZ80A

N-Kanal-Transistor BUZ80A, TO220, PG-TO220-3. Gehäuse: TO220, PG-TO220-3. Drain-Source-Spannung: 800V. Gate-Source-Spannung: ±20V. Konditionierung: tubus. Leistung: 63W. Montage/Installation: THT. P...

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BUZ80AF

N-Kanal-Transistor BUZ80AF, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.1A. IDSS (max): 2.1A. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Spannung Vds(max): 800V. Funktion: N-MOSFET-T...

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BUZ83

N-Kanal-Transistor BUZ83, 3.2A, 3.2A, 800V. ID (T=25°C): 3.2A. IDSS (max): 3.2A. Spannung Vds(max): 800V. Funktion: V-MOS. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 78W. Transistor...

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BUZ90

N-Kanal-Transistor BUZ90, 2.8A, 4.5A, 4.5A, 1.6 Ohms, 600V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 4.5A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.6 Ohms. Spannung Vds(max): 600V. Funktion: N-MOSFET...

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BUZ90A

N-Kanal-Transistor BUZ90A, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 4A. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Dat...

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BUZ90AF

N-Kanal-Transistor BUZ90AF, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, 600V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 4A. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Spannung Vds(max): 600V. Funktion: N-MOSFET-Transisto...

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BUZ91A

N-Kanal-Transistor BUZ91A, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 8A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Fun...

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BUZ91A-INF

N-Kanal-Transistor BUZ91A-INF, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 6...

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CEB6030L

N-Kanal-Transistor CEB6030L, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. IDSS (max): 52A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Geh...

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CM200DY-24H

N-Kanal-Transistor CM200DY-24H, 200A, andere, andere, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Gehäuse: andere. Gehäuse (laut Datenblatt): andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Abmessungen: 108x62x31mm....

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CSD17313Q2T

N-Kanal-Transistor CSD17313Q2T, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, 2 mm × 2 mm Kunststoffgehäuse, 30 v. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.024...0.042 Ohms. Gehäuse: ...

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DF600R12IP4D

N-Kanal-Transistor DF600R12IP4D, 600A, andere, andere, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Gehäuse: andere. Gehäuse (laut Datenblatt): andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Abmessungen: 172x89x37mm...

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N-Kanal-Transistor DMHC3025LSD-13, SO8, 30V/-30V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 14.5...

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ECW20N20

N-Kanal-Transistor ECW20N20, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Spannung Vds(max): 200V. ...

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ECX10N20

N-Kanal-Transistor ECX10N20, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3....

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FCP11N60

N-Kanal-Transistor FCP11N60, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (...

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