N-Kanal-FETs und MOSFETs

1237 Produkte in der Kategorie N-Kanal-FETs und MOSFETs verfügbar, alle von Originalherstellern, zum Beispiel National Semiconductor, ROHM, Nxp, Exicon, Shandong Jingdao Microelectronics, und 66 weiteren Herstellern

FS10TM12

N-Kanal-Transistor FS10TM12, 10A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 10A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.72 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(ma...

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FS12KM-5

N-Kanal-Transistor FS12KM-5, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 12A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO...

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FS12UM-5

N-Kanal-Transistor FS12UM-5, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 12A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220....

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FS75R12KE3GBOSA1

N-Kanal-Transistor FS75R12KE3GBOSA1, 75A, andere, andere, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Gehäuse: andere. Gehäuse (laut Datenblatt): andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Abmessungen: 122x62x17...

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FS7KM-18A

N-Kanal-Transistor FS7KM-18A, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.54 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO...

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FZ1200R12HP4

N-Kanal-Transistor FZ1200R12HP4, 1200A, andere, andere, 1200V. Ic(T=100°C): 1200A. Gehäuse: andere. Gehäuse (laut Datenblatt): andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Anzahl der Terminals: ...

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G60N04K

N-Kanal-Transistor G60N04K, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 60A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5.3m Ohms. Gehäuse: D-PA...

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GJ9971

N-Kanal-Transistor GJ9971, 16A, 25A, 25uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On...

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GT30J322

N-Kanal-Transistor GT30J322, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P( GCE ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der...

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GT30J324

N-Kanal-Transistor GT30J324, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 46...

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GT35J321

N-Kanal-Transistor GT35J321, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Gehäuse: TO-3P( N )IS. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: ...

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HGTG10N120BND

N-Kanal-Transistor HGTG10N120BND, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Anzahl der Terminals: 3. ...

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HGTG12N60A4D

N-Kanal-Transistor HGTG12N60A4D, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Ic(T=100°C): 23A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspann...

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HGTG12N60C3D

N-Kanal-Transistor HGTG12N60C3D, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Ter...

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HGTG20N60B3D

N-Kanal-Transistor HGTG20N60B3D, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3....

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HGTG30N60A4

N-Kanal-Transistor HGTG30N60A4, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Term...

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HGTG30N60A4D

N-Kanal-Transistor HGTG30N60A4D, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspann...

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HGTG40N60A4

N-Kanal-Transistor HGTG40N60A4, 63A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 63A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. ...

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HGTG5N120BND

N-Kanal-Transistor HGTG5N120BND, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Anzahl der Terminals: 3. B...

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HUF75307D3

N-Kanal-Transistor HUF75307D3, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak )...

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HUF75307D3S

N-Kanal-Transistor HUF75307D3S, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ...

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HUF75344G3

N-Kanal-Transistor HUF75344G3, 75A, 250uA, 6.5m Ohms, TO-247, TO-247, 55V. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 6.5m Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO...

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HUF75344P3

N-Kanal-Transistor HUF75344P3, TO-220, 75A, 250uA, 0.065 Ohms, TO-220AB, 55V. Gehäuse: TO-220. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.065 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt)...

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HUF75645P3

N-Kanal-Transistor HUF75645P3, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0115 Ohms. Gehäuse: TO-220...

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