N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.6A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 200V. C(in): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 10A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 500V. C(in): 360pF. Kosten): 92pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 8A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 8 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor der dritten Generation. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-251AA, 500V, 2.4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-251AA. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFU420PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 33 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 360pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 42W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-251AA, 200V, 24A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-251AA. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFU4620PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.78 Ohms @ 15A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25.4 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1710pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 144W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4.4 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 600V. C(in): 350pF. Kosten): 48pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 8A. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: V-MOS. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 68A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 60V, 17A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFZ24NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 640pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 17A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FZ24NS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4.9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 370pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 45W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 29A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 700pF. Kosten): 240pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 57 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 100A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 68W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 31 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 60V, 30A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFZ34NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 31 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0175 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1470pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 63us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 94W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 60V, 50A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFZ44NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 31A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1470pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 17.5m Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1470pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 63 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 94W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 49A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FZ44NS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0175 Ohms @ 25A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1470pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 94W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 16.5m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 1812pF. Kosten): 393pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 220A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 115W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 60V, 0.016 Ohms, TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 60V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 55A. Leistung: 115W

N-Kanal-Transistor, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 16.5m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1696pF. Kosten): 407pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 67 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 107W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 52 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 16.5m Ohms. Gehäuse: TO-262 ( I2-PAK ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-262. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1696pF. Kosten): 407pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 67 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 52 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 50V, 50A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFZ46NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0165 Ohms @ 28A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1696pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 64A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1970pF. Kosten): 470pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 68 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 210A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 34 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, TO-220AB, 55V, 64A, 55V, 0.014 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Drain-Source-Spannung (Vds): 55V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. Herstellerkennzeichnung: IRFZ48NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 32A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 34 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1970pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 130W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 64A. Leistung: 130W

N-Kanal-Transistor, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 ( AB ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Funktion: Ultra Fast Speed IGBT (8-40KHz). Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 23A. Ic(Impuls): 92A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 175 ns. Td(on): 27 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.59V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 ( AB ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 1100pF. Kosten): 73pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Funktion: UltraFast CoPack IGBT. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 23A. Ic(Impuls): 92A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRG4BC30UD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 91 ns. Td(on): 40 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.95V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V

N-Kanal-Transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 980pF. Kosten): 71pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Leistungs-MOSFET-Transistor bis 150 kHz. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 23A. Ic(Impuls): 92A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRG 4BC30W. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 99 ns. Td(on): 25 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V

N-Kanal-Transistor, 16A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 16A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 920pF. Kosten): 110pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 28A. Ic(Impuls): 58A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: Ultraschneller IGBT-Transistor. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 160 ns. Td(on): 60 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.21V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V