N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 2100pF. Kosten): 140pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Funktion: Ultraschnell, für hohe Betriebsfrequenzen von 8–40 kHz. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 160A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 54 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.72V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V

N-Kanal-Transistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 1900pF. Kosten): 140pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 160A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 27 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.05V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V

N-Kanal-Transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 3200pF. Kosten): 370pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 52A. Ic(Impuls): 104A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRG4PC50K. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 160 ns. Td(on): 38 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.84V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V

N-Kanal-Transistor, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 4000pF. Kosten): 250pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 55A. Ic(Impuls): 220A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 230 ns. Td(on): 31 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V

N-Kanal-Transistor, 27A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 27A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 4000pF. Kosten): 250pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Funktion: UltraFast CoPack IGBT. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 55A. Ic(Impuls): 220A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 46 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 6050pF. Kosten): 360pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Funktion: „Schnellgeschwindigkeits-IGBT“. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 90A. Ic(Impuls): 360A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 520W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 310 ns. Td(on): 42 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V

N-Kanal-Transistor, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 1800pF. Kosten): 120pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Funktion: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 41A. Ic(Impuls): 82A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 220 ns. Td(on): 24 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.43V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V

N-Kanal-Transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 2800pF. Kosten): 140pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 45A. Ic(Impuls): 90A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 36ns. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.77V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V

N-Kanal-Transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1220V. C(in): 2800pF. Kosten): 140pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Trr-Diode (Min.): 90 ns. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 45A. Ic(Impuls): 90A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 87 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.77V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V

N-Kanal-Transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 3600pF. Kosten): 160pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 45A. Ic(Impuls): 180A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRG4PH50U. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 35 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.56V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V

N-Kanal-Transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 3600pF. Kosten): 160pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 90 ns. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 45A. Ic(Impuls): 180A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 47 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.56V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V

N-Kanal-Transistor, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 850pF. Kosten): 75pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Trr-Diode (Min.): 92 ns. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 31A. Ic(Impuls): 62A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 184 ns. Td(on): 34 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.5V

N-Kanal-Transistor, 48A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 3025pF. Kosten): 245pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 90A. Ic(Impuls): 144A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 165 ns. Td(on): 145 ns. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v

N-Kanal-Transistor, 40A, TO-247, TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. C(in): 2250pF. Kosten): 110pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierungseinheit: 25. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 70A. Ic(Impuls): 250A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 112 ns. Td(on): 36ns. Betriebstemperatur: -40...+140°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.29V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.57V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V

N-Kanal-Transistor, 14A, TO-263, 400V. Ic(T=100°C): 14A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. C(in): 825pF. Kosten): 150pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 20A. Hinweis: > 6KV ESD Gate Protection. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GS14C40L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 8.3 ns. Td(on): 1.35 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 1.3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 2.2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 130A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L1004S. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.7V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5330pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.004 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. C(in): 6590pF. Kosten): 1710pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 63 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 640A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 40V, 0.004 Ohms, TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 40V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.004 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 160A. Leistung: 200W

N-Kanal-Transistor, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. IDSS (max): 200A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.005 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 790A. Pd (Verlustleistung, max): 230W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Funktion: Schnell schaltender Gate-Antrieb auf Logikebene

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 40V, 140A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRL1404ZPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.7V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 19 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5080pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 230W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. IDSS: 20uA. IDSS (max): 200A. Einschaltwiderstand Rds On: 2.5M Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263 ( D2PAK ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 5080pF. Kosten): 970pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 26 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 790A. Pd (Verlustleistung, max): 230W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET

N-Kanal-Transistor, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 3290pF. Kosten): 1270pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 400A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 30 v, 100A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRL2203NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.7V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 130W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L2203NS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 180W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L2203NS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 180W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C