N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 104A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L2505S. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.026 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 3700pF. Kosten): 630pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikebene. Id(imp): 190A. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 49 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 20V, 110A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRL3502. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 96 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 140W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 20V, 110A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L3502S. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 96 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 140W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.01 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 3600pF. Kosten): 870pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 94us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 310A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 170W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Gate-Antrieb auf Logikebene, schnelles Schalten. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 55V, 89A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 89A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRL3705N. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 46A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 37 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3600pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 170W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 180A, 260A, 100uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.003 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 5890pF. Kosten): 3130pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: sehr niedrige Rds. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 1040A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SMPS MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 170A, 200A, 200A, 0.003 Ohms, 30 v. ID (T=100°C): 170A. ID (T=25°C): 200A. IDSS (max): 200A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.003 Ohms. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Sehr niedriger Rds-on-Einschaltwiderstand. Hinweis: UltraLow Gate. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Technologie: SMPS MOSFET

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 260A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 260A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L3713S. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 30A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5890pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 170W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 98A, 140A, 250uA, 0.006 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 98A. ID (T=25°C): 140A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.006 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 120ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikebene. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 470A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, TO-220AB, 30 v, 140A, 30V, 0.006 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Drain-Source-Spannung (Vds): 30V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.006 Ohms. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 140A. Leistung: 200W. Kontrolle: Logikebene

N-Kanal-Transistor, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.006 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 120ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 470A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 140A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L3803S. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK/7, 40V, 360A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/7. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 360A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 7. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0005 Ohms @ 100A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 67 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 222 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 19680pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 416W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 7.1A, 10A, 10A, 0.18 Ohms, 100V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 10A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Spannung Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 35A. Hinweis: Logikebene. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Technologie: V-MOS TO220A

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 10A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L520N. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 440pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 800pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 140 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 60A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 79W. RoHS: ja. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor, logisch pegelgesteuert. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 100V, 17A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRL530NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 800 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 79W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 1.3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L530NS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 800 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 21A, 30A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.044 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1800pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 94W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 100V, 36A, 140W. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 140W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRL540N. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 140W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.044 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1800pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 36A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L540NS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 140W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220A. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikebene. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220A. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikebene. Pd (Verlustleistung, max): 69W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS