N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 3.1A, 5.5A, 250uA, 0.45 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. ID (T=100°C): 3.1A. ID (T=25°C): 5.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 530pF. Kosten): 230pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 16A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 2.1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 6.9ns. Td(on): 7.4 ns. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 30 v, 3.9A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: LL2703. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 6.9ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 530pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 30 v, 3.9A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: LL2703. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 6.9ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 530pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 55V, 3.8A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: LL2705. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 3.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 35 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 870pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 4.2A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spannung Vds(max): 20V. C(in): 740pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 16 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 33A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 54 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 20V, 3.4A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 1g. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 54 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 740pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. ID (T=100°C): 0.93A. ID (T=25°C): 1.2A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.025 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 85pF. Kosten): 34pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 26 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 7.3A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 540mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 9 ns. Td(on): 3.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 30 v, 1.2A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: B. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 3.9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 9 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 85pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.54W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 30 v, 1.2A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 3.9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 9 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 85pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.54W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 30 v, 5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.1V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 650pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.065 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 5V. C(in): 480pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 72A. IDss (min): 25uA. Äquivalente: IRLR024NPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.185 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 440pF. Kosten): 97pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 35A. IDss (min): 25uA. Äquivalente: IRLR120NTRPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 48W. RoHS: ja. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 23 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 880pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 75. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 76 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Antrieb auf Logikebene, schnelles Schalten. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 68W. RoHS: ja. Spec info: niedriger Widerstand R-on 0,040 Ohm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.027 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1700pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2000. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 110W. RoHS: ja. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, 55V, 42A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRLR2905PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 42A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 26 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 110W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 11m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1570pF. Kosten): 230pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 22ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 240A. IDss (min): 20uA. Äquivalente: IRLR2905ZTRPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 110W. RoHS: ja. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 24 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.105 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 3980pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 34-51 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 250A. IDss (min): 25uA. Äquivalente: IRLR3110ZPbF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 79W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: ±16. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.105 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 800pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 140 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 60A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 79W. RoHS: ja. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 17A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: LR3410. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 97W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 6.5m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 2900pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 21ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 360A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 33 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 161A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.6m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 4380pF. Kosten): 940pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2000. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 39 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Sehr niedriger RDS(on) bei 4,5 V VGS, extrem niedrige Gate-Impedanz. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 620A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: LR7843. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 34 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V

N-Kanal-Transistor, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 6.3m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1030pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 17 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Sehr niedrige RDS-Abstand bei 4,5 V VGs. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 260A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Extrem niedrige Gate-Impedanz. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 9.4 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V

N-Kanal-Transistor, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 2150pF. Kosten): 480pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 24 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Sehr niedrige RDS-Abstand bei 4,5 V VGs. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 340A. IDss (min): 1uA. Äquivalente: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Extrem niedrige Gate-Impedanz. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V

N-Kanal-Transistor, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 160A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.4M Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 4880pF. Kosten): 950pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 18 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 640A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 135W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 21 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V

N-Kanal-Transistor, 55V, IPAK. Vdss (Drain-Source-Spannung): 55V. Gehäuse: IPAK. Polarität: MOSFET N. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 17A. Gate/Source-Spannung Vgs max: -16V. Montageart: SMD. Serie: HEXFET. Pd (Verlustleistung, max): 45W