N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 126A, 179A, 250uA, 0.005 Ohms, SUPER-220, SUPER220, 30 v. ID (T=100°C): 126A. ID (T=25°C): 179A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.005 Ohms. Gehäuse: SUPER-220. Gehäuse (laut Datenblatt): SUPER220. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 120ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 720A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 270W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor, logisch pegelgesteuert. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, SUPER-220, 30 v, 179A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SUPER-220. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 179A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRLBA3803PPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 59A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 270W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. IDSS: 0.025mA. IDSS (max): 1.7A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): HVMDIP ( DIP-4 ). Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. Funktion: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

N-Kanal-Transistor, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): HVMDIP ( DIP-4 ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 870pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Verschiedenes: Dynamic dv/dt Rating. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnell schaltender Gate-Antrieb auf Logikebene. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 20A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, DIP4, 60V, 2.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: IRLD024PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 870pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 13A, 19A, 25uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.042 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 740pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 52 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Für Class-D-Audio optimierte Verstärkeranwendungen. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 2uA. Pd (Verlustleistung, max): 39W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 5.7 ns. Technologie: Digitaler Audio-HEXSFET. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 10A, 14A, 25uA, 93m Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 93m Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 660pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 57 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Für Class-D-Audio optimierte Verstärkeranwendungen. G-S-Schutz: Diode. Id(imp): 60A. IDss (min): 2uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 33W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 21 ns. Td(on): 9.5 ns. Technologie: Digitaler Audio-HEXSFET. Betriebstemperatur: -40...+170°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 55V, 2A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: LL014N. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 5.1 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 14 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 230pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 55V, 3.1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FL024. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ 3.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 18 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 510pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 100V, 1.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.3 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 16 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 250pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 3.1A, 5.5A, 250uA, 0.45 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. ID (T=100°C): 3.1A. ID (T=25°C): 5.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 530pF. Kosten): 230pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 16A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 2.1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 6.9ns. Td(on): 7.4 ns. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 30 v, 3.9A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: LL2703. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 6.9ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 530pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 30 v, 3.9A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: LL2703. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 6.9ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 530pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 55V, 3.8A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: LL2705. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 3.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 35 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 870pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 20V, 1.2A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 1A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 0.47A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 2.5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 9.7 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 110pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.54W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 4.2A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spannung Vds(max): 20V. C(in): 740pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 16 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 33A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 54 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 20V, 3.4A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 1g. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 54 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 740pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. ID (T=100°C): 0.93A. ID (T=25°C): 1.2A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.025 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 85pF. Kosten): 34pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 26 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 7.3A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 540mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 9 ns. Td(on): 3.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 30 v, 1.2A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: B. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 3.9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 9 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 85pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.54W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 30 v, 1.2A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 3.9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 9 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 85pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.54W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 30 v, 5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.1V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 650pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.065 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 5V. C(in): 480pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 72A. IDss (min): 25uA. Äquivalente: IRLR024NPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 55V, DPAK. Vdss (Drain-Source-Spannung): 55V. Gehäuse: DPAK. Produktserie: HEXFET. Polarität: MOSFET N. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 17A. Gate/Source-Spannung Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -16V. Max: 45W. Montageart: SMD

N-Kanal-Transistor, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.185 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 440pF. Kosten): 97pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 35A. IDss (min): 25uA. Äquivalente: IRLR120NTRPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 48W. RoHS: ja. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 23 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 880pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 75. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 76 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Antrieb auf Logikebene, schnelles Schalten. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 68W. RoHS: ja. Spec info: niedriger Widerstand R-on 0,040 Ohm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V