N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 55V, IPAK. Vdss (Drain-Source-Spannung): 55V. Gehäuse: IPAK. Produktserie: HEXFET. Polarität: MOSFET N. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 17A. Gate/Source-Spannung Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -16V. Max: 45W. Montageart: SMD

N-Kanal-Transistor, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 480pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 47W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 55V, 18A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRLZ24NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.1 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 480pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 45W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 880pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 76 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 68W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 55V, 30A, 30A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 30A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRLZ34NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 880pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 68W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 47A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.022 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1700pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 110W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 55V, 0.022 Ohms, TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 55V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.022 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Kontrolle: Logikebene. Maximaler Drainstrom: 41A. Leistung: 83W

N-Kanal-Transistor, 31A, TO-220, TO-220AA, 390V. Ic(T=100°C): 31A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 390V. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Ic 46A @ 25°C, 31A @ 110°C. Germaniumdiode: Suppressor. Kollektorstrom: 46A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: V5036P. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: td(On) 0.7us, td(Off) 10.8us. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10.8 ns. Td(on): 7 ns. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 10V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 1.3V

N-Kanal-Transistor, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. ID (T=25°C): 130A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.01 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 6600pF. Kosten): 640pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 300A. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 360W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 24 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AD, 800V, 13A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AD. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFH13N80. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 63 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AD, 500V, 26A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AD. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFH26N50. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 65 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V. ID (T=25°C): 26A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 4700pF. Kosten): 580pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 104A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 360W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 10V/ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 80 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V

N-Kanal-Transistor, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V. ID (T=25°C): 32A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 5700pF. Kosten): 750pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 128A. IDss (min): 200uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 360W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AD, 200V, 58A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AD. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFH58N20. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-264AA, 300V, 140A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264AA. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 300V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFK140N30P. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 70A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 14000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1040W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. ID (T=25°C): 34A. IDSS (max): 2mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.24 Ohms. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 7500pF. Kosten): 920pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 136A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 560W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 2mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.12 Ohms. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 8400pF. Kosten): 900pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: F-Class--MHz Switching. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 176A. IDss (min): 400uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 500W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 44A, 1.5mA, 0.19 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 1.5mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.19 Ohms. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 12pF. Kosten): 910pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Enhancement Mode, Avalanche Rated. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 100A. IDss (min): 50uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1200W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 10V/ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-264AA, 25, 500V, 44A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): 25. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Spannung Vds(max): 500V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFK48N50. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 8400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 500W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-264AA, 600V, 48A, 25, 0.135 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 600V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264AA. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 25. Einschaltwiderstand Rds On: 0.135 Ohms. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Spannung Vds(max): 600V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFK48N60P. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ 24A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 85 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 8860pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 830W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: dv/dt 20V/ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 85 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 5.5V, 64A, 1mA, 85m Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. ID (T=100°C): 5.5V. ID (T=25°C): 64A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 85m Ohms. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 7900pF. Kosten): 790pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 150A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 830W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 20V/ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 85 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-264AA, 600V, 64A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264AA. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFK64N60P. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 28 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 79 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 12000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1040W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, SOT-227B (ISOTOP), 75V, 480A. Gehäuse: SOT-227B (ISOTOP). Drain-Source-Spannung Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: GigaMOS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 48 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 80 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 41000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 940W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V. ID (T=25°C): 105A. IDSS (max): 2uA. Einschaltwiderstand Rds On: 17m Ohms. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Spannung Vds(max): 200V. C(in): 9100pF. Kosten): 2200pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Elektrisch isolierte Rückseite. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 480A. IDss (min): 100uA. Hinweis: Isolationsspannung 2500 V 50/60 Hz, RMS, 1 Minute. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 400W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 100A. IDSS (max): 1.5mA. Einschaltwiderstand Rds On: 13m Ohms. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247. Spannung Vds(max): 150V. C(in): 7000pF. Kosten): 2250pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Elektrisch isolierte Rückseite. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 380A. IDss (min): 25uA. Hinweis: Isolationsspannung 2500 V 50/60 Hz, RMS, 1 Minute. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 10V/ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V