N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 12A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 12A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 850pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegelsteuerung, ESD-Schutz. G-S-Schutz: Diode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F3055L. Pd (Verlustleistung, max): 48W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“

N-Kanal-Transistor, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 900pF. Kosten): 325pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 30A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F12N10L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+155°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 12A, 12A, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 12A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: MegaFET. Pd (Verlustleistung, max): 53W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 60V, 11A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: RFP3055LE. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 38W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 60V, 50A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: RFP50N06. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 37 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2020pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 131W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 60V, 70A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: RFP70N06. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2250pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PSG. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 330V. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 35A. Ic(Impuls): 250A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: trr 0.1us. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V

N-Kanal-Transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PSG. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 330V. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Kollektorstrom: 35A. Ic(Impuls): 250A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: trr 0.06us. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V

N-Kanal-Transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PSG. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. C(in): 1200pF. Kosten): 80pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Kompatibilität: Samsung PS42C450B1WXXU. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 35A. Ic(Impuls): 250A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: trr 0.06us. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 0.06 ns. Td(on): 0.02 ns. Technologie: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V

N-Kanal-Transistor, 20A, 20A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 20A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 178W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Field Effect Power MOSFET

N-Kanal-Transistor, 40A, 40A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 40A. IDSS (max): 40A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Trr 450ns, td(on) 52ns, td(off) 180ns. Id(imp): 60.4k Ohms. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor

N-Kanal-Transistor, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 360V. C(in): 85pF. Kosten): 40pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Funktion: IGBT. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 30A. Ic(Impuls): 250A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 90 ns. Td(on): 40 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V

N-Kanal-Transistor, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. ID (T=25°C): 115mA. IDSS (max): 115mA. Einschaltwiderstand Rds On: 7.5 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 25pF. Kosten): 10pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnittstelle und Vermittlung. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 0.8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RKM. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Silicon N-channel MOSFET. Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 2.5A, 2.5A, 0.074 Ohms, TSMT3, 30 v. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 2.5A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.074 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TSMT3. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Leistungsschaltung, DC/DC-Wandler. Id(imp): 10A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code QY. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N-Ch MOS FET

N-Kanal-Transistor, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V. ID (T=25°C): 9.5A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 45V. C(in): 1830pF. Kosten): 410pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Leistungsschaltung, DC/DC-Wandler, Wechselrichter. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 35A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TB. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 78 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: 4-V-Antriebs-N-Kanal-MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 10A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0125 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: 4-V-Antriebs-N-Kanal-MOSFET

N-Kanal-Transistor, 20A, 20A, TO-247, TO-247. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Menge pro Karton: 1. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Cool Mos

N-Kanal-Transistor, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 1970pF. Kosten): 310pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Funktion: Hochgeschwindigkeits-IGBT. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 48A. Ic(Impuls): 90A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G30N60RUFD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 235W. RoHS: ja. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 30 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V

N-Kanal-Transistor, 10.6A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 10.6A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 550pF. Kosten): 62pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Motorsteuerungen, Wechselrichter. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 40A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G10N60A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 92W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 178 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: Schneller IGBT in NPT-Technologie. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: GP15N120. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 30A. Maximaler Kollektorstrom (A): 52A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 24 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 750 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 198W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 30A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. RoHS: ja. C(in): 1600pF. Kosten): 150pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Motorsteuerungen, Wechselrichter. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 41A. Ic(Impuls): 112A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G30N60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 291 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: Schneller IGBT in NPT-Technologie. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 30 v, 3.6A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P4. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 235pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.7W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 30 v, 3.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L6. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 305pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L8. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 190pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.66W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 10A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.013 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: D-S-MOSFET