N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, MS-012, 30 v, 7.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4410BDY. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.4W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 10.5A, 13.5A, 13.5A, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 10.5A. ID (T=25°C): 13.5A. IDSS (max): 13.5A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 50A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4420AP. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: D-S-MOSFET

N-Kanal-Transistor, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 32A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 17m Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 12V. C(in): 12350pF. Kosten): 2775pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 84 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Power MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 70A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 7.8W. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 240 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V

N-Kanal-Transistor, 4.8A, 6A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 20uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.026 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 80V. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Power MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 40A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 52 ns. Td(on): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.2A. IDSS (max): 20uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.026 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 80V. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Power MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 40Ap. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 52 ns. Td(on): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, MS-012, 30V/-30V, 3.7A/-3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A/-3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4532ADY-T1-E3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns/8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23/21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.13W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4532CDY-T1-E3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25/30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 305/340pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.14W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, MS-012, 60V/-60V, 4.5A/-3.1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4559EY. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns/8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 36/12ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.4W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0155 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnell schaltender Leistungs-MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 40Ap. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4800B. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 32 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V

N-Kanal-Transistor, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 12.4A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0074 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 40V. C(in): 2000pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 50A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 25 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, MS-012, 60V, 5.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4946BEY-T1-E3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0,052 Ohm bei 4,7 A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 840pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.6W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, MS-012, 60V, 4.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4946EY-T1-E3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 60 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.4W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI9410BDY-E3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30 v, 4.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI9936BDY. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 550pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0075 Ohms. Gehäuse: PowerPAK SO-8. Gehäuse (laut Datenblatt): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 985pF. Kosten): 205pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 14 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „High-Side-Schalter“. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 50A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 196k Ohms. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 29.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 90A, Andere, Andere, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 5000pF. Kosten): 720pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Funktion: Hochleistungs-IGBT. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 100A. Ic(Impuls): 150A. Hinweis: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Anzahl der Terminals: 7. RoHS: ja. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(off): 450 ns. Td(on): 30 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V

N-Kanal-Transistor, 330A, Andere, Andere, 1200V. Ic(T=100°C): 330A. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 23.1pF. Kosten): 1.9pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Funktion: Hochleistungs-IGBT. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 470A. Ic(Impuls): 600A. Anzahl der Terminals: 7. Abmessungen: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 650 ns. Td(on): 330 ns. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.15V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V

N-Kanal-Transistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 1100pF. Kosten): 107pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Funktion: Schneller S-IGBT in NPT-Technologie. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 80A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 179W. RoHS: ja. Spec info: K20N60. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 445 ns. Td(on): 36ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V

N-Kanal-Transistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 1150pF. Kosten): 120pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 280 ns. Funktion: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Kollektorstrom: 46A. Ic(Impuls): 84A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K25N120. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 313W. RoHS: ja. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 730 ns. Td(on): 45 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 3.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V

N-Kanal-Transistor, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 77.5A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.041 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 8180pF. Kosten): 310pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 630 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Erhöhte MOSFET dv/dt-Robustheit“. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 267A. IDss (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6R041P6. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 481W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 29 ns. Technologie: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V

N-Kanal-Transistor, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.017...0.025 Ohms. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TB. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

N-Kanal-Transistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3-1. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 13.5A. IDss (min): 0.5uA. Hinweis: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 04N60C3. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31W. RoHS: ja. Spec info: Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-Kanal-Transistor, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 790pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 21.9A. IDss (min): 0.5uA. Hinweis: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 07N60C3. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 32W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, ITO-220 (PG-TO220FP), 650V, 7.3A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220 (PG-TO220FP). Drain-Source-Spannung Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 07N60C3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.9V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 60 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 790pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 32W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.56 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1100pF. Kosten): 46pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 24A. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 08N60C3. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V