N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 ohne Befestigungsloch), 800V. ID (T=25°C): 34A. IDSS (max): 2mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.24 Ohms. Gehäuse: PLUS247. Gehäuse (laut Datenblatt): PLUS-247 (TO247 ohne Befestigungsloch). Spannung Vds(max): 800V. C(in): 7500pF. Kosten): 920pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 136A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 560W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V. Ic(T=100°C): 24A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AD ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 1500pF. Kosten): 170pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Funktion: HiPerFAST IGBT with Diode. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 48A. Ic(Impuls): 80A. Hinweis: HiPerFAST IGBT-Transistor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 15 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.5V

N-Kanal-Transistor, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 2700pF. Kosten): 270pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 120ns. Funktion: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 60.4k Ohms. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 25 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V

N-Kanal-Transistor, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 1960pF. Kosten): 220pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Funktion: Hochgeschwindigkeits-PT-IGBTs für 40-100-kHz-Schaltung. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 56A. Ic(Impuls): 230A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Elektrisch isolierte Rückseite. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 92 ns. Td(on): 19 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 48A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 48A. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 3900pF. Kosten): 280pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 35ns. Funktion: C2-Class High Speed IGBT. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 75A. Ic(Impuls): 300A. Hinweis: HiPerFAST IGBT-Transistor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 95 ns. Td(on): 18 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V

N-Kanal-Transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 2113pF. Kosten): 197pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: IGBT mit ultraschneller Soft-Recovery-Diode. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 75A. Ic(Impuls): 260A. Hinweis: Isolierung 2500 V (50/60 Hz RMS, t=1 Minute). Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 268W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 127 ns. Td(on): 43 ns. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V

N-Kanal-Transistor, 36A, 200uA, 0.092 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263AB ), 300V. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.092 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263AB ). Spannung Vds(max): 300V. C(in): 2250pF. Kosten): 370pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHTTM Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AD, 500V, 24A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AD. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXTH24N50. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.23 Ohms @ 12A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 80 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AD, 1 kV, 5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AD. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXTH5N100A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 200 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2600pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 180W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 96A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 24m Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 4800pF. Kosten): 1020pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 160 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 225A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 600W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V

N-Kanal-Transistor, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-220, TO-220, 300V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 92m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 300V. C(in): 2250pF. Kosten): 370pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 90A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 92 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 300V. C(in): 4000pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 130A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.066 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 2500pF. Kosten): 440pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 240A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 176W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchMVTM Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 2770pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 240A. IDss (min): 2uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchT2TM Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 92m Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 300V. C(in): 2250pF. Kosten): 370pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 90A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 24A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 270 milliOhms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 2890pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 50A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 480W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PolarP2TM Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2.5V

N-Kanal-Transistor, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 40m Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 300V. C(in): 6300pF. Kosten): 950pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 220A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 600W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 96 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V

N-Kanal-Transistor, 8 Ohms, TO-92, TO-92, 25V. Einschaltwiderstand Rds On: 8 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 25V. C(in): 160pF. Kosten): 35pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 100mA. IGF: 50mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 5 ns. Td(on): 6 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 0.7V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 4.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.5V

N-Kanal-Transistor, 30 Ohms, 35V. Einschaltwiderstand Rds On: 30 Ohms. Spannung Vds(max): 35V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. Funktion: Up 10V. IDss (min): 20mA. IGF: 50mA. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 10V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 5mA, TO-92, TO-92 Ammo-Pak, 35V. IDSS (max): 5mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 Ammo-Pak. Spannung Vds(max): 35V. C(in): 28pF. Kosten): 5pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. Funktion: Up 4.5V. IGF: 50mA. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 100 Ohms, TO-92, TO-92, 35V. Einschaltwiderstand Rds On: 100 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 35V. C(in): 28pF. Kosten): 5pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. RoHS: ja. Spec info: VGS(off) min 0.5V, max 3V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 35V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 3V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.5V

N-Kanal-Transistor, 1.4A, 1.4A, 30 v. ID (T=25°C): 1.4A. IDSS (max): 1.4A. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. Funktion: 0505-111646. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code QU. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: SMD 5p.

N-Kanal-Transistor, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1700pF. Kosten): 184pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Trr-Diode (Min.): 430 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SMPS, Hochgeschwindigkeitsschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 49W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 76 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 1650pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Trr-Diode (Min.): 355 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SMPS, Hochgeschwindigkeitsschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 48A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 49.6W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 132 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.72 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 780pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 272 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 28 nC, niedriger CrSS 24 pF. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 38W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: +55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V