N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.027 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1700pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2000. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 110W. RoHS: ja. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, 55V, 42A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRLR2905PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 42A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 26 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 110W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 11m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1570pF. Kosten): 230pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 22ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 240A. IDss (min): 20uA. Äquivalente: IRLR2905ZTRPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 110W. RoHS: ja. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 24 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.105 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 3980pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 34-51 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 250A. IDss (min): 25uA. Äquivalente: IRLR3110ZPbF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 79W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: ±16. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.105 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 800pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 140 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 60A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 79W. RoHS: ja. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 17A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: LR3410. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 97W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 6.5m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 2900pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 21ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 360A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 33 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 161A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.6m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 4380pF. Kosten): 940pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2000. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 39 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Sehr niedriger RDS(on) bei 4,5 V VGS, extrem niedrige Gate-Impedanz. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 620A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: LR7843. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 34 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V

N-Kanal-Transistor, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 6.3m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1030pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 17 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Sehr niedrige RDS-Abstand bei 4,5 V VGs. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 260A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Extrem niedrige Gate-Impedanz. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 9.4 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V

N-Kanal-Transistor, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 2150pF. Kosten): 480pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 24 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Sehr niedrige RDS-Abstand bei 4,5 V VGs. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 340A. IDss (min): 1uA. Äquivalente: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Extrem niedrige Gate-Impedanz. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V

N-Kanal-Transistor, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 160A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.4M Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 4880pF. Kosten): 950pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 18 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 640A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 135W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 21 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V

N-Kanal-Transistor, 55V, IPAK. Vdss (Drain-Source-Spannung): 55V. Gehäuse: IPAK. Produktserie: HEXFET. Polarität: MOSFET N. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 17A. Gate/Source-Spannung Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -16V. Max: 45W. Montageart: SMD

N-Kanal-Transistor, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 480pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 47W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 55V, 18A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRLZ24NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.1 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 480pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 45W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 880pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 76 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 68W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 55V, 30A, 30A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 30A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRLZ34NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 880pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 68W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 47A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.022 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1700pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 110W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 55V, 0.022 Ohms, TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 55V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.022 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Kontrolle: Logikebene. Maximaler Drainstrom: 41A. Leistung: 83W

N-Kanal-Transistor, 31A, TO-220, TO-220AA, 390V. Ic(T=100°C): 31A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 390V. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Ic 46A @ 25°C, 31A @ 110°C. Germaniumdiode: Suppressor. Kollektorstrom: 46A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: V5036P. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: td(On) 0.7us, td(Off) 10.8us. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10.8 ns. Td(on): 7 ns. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 10V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 1.3V

N-Kanal-Transistor, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. ID (T=25°C): 130A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.01 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 6600pF. Kosten): 640pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 300A. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 360W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 24 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AD, 800V, 13A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AD. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFH13N80. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 63 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AD, 500V, 26A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AD. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFH26N50. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 65 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V. ID (T=25°C): 26A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 4700pF. Kosten): 580pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 104A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 360W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 10V/ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 80 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V

N-Kanal-Transistor, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V. ID (T=25°C): 32A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 5700pF. Kosten): 750pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 128A. IDss (min): 200uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 360W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AD, 200V, 58A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AD. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFH58N20. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C