N-Kanal-Transistor, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V - IXTQ460P2

N-Kanal-Transistor, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V - IXTQ460P2. N-Kanal-Transistor, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 24A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 270 milliOhms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 2890pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 50A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 480W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PolarP2TM Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt vom Hersteller IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/06/2025, 10:25.