Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 1 | 10.85€ | 13.02€ |
2 - 2 | 10.31€ | 12.37€ |
3 - 4 | 9.76€ | 11.71€ |
5 - 9 | 9.22€ | 11.06€ |
10 - 14 | 9.00€ | 10.80€ |
15 - 19 | 8.79€ | 10.55€ |
20+ | 8.46€ | 10.15€ |
Menge | U.P | |
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1 - 1 | 10.85€ | 13.02€ |
2 - 2 | 10.31€ | 12.37€ |
3 - 4 | 9.76€ | 11.71€ |
5 - 9 | 9.22€ | 11.06€ |
10 - 14 | 9.00€ | 10.80€ |
15 - 19 | 8.79€ | 10.55€ |
20+ | 8.46€ | 10.15€ |
N-Kanal-Transistor, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V - 2SK1170. N-Kanal-Transistor, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 2800pF. Kosten): 780pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 80A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 22:25.
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