N-Kanal-Transistor 2SK1217, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1400pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Low Driving Power High Speed Switching. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 23A. Kanaltyp: N. Kosten): 200pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Td(off): 300 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: V-MOS. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Fuji Electric. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:03