Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V - 2SK4108

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N-Kanal-Transistor, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V - 2SK4108. N-Kanal-Transistor, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.21 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 3400pF. Kosten): 320pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Id(imp): 80A. IDss (min): n/a. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 280 ns. Td(on): 130 ns. Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Feldeffekttransistor, MOS-Typ (MOS VI). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 14:25.

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N-Kanal-Transistor, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.22 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 2600pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1700 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Id(imp): 80A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K20J50D. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 280W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: Feldeffekt-POWER-MOS-Typ (MOSVII). Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS
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