N-Kanal-Transistor IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30

Technische Produktbeschreibung (IRF2903ZS):

N-Kanal-Transistor IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.019 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 30 v. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 6320pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 1020A. Kanaltyp: N. Kosten): 1980pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 290W. RoHS: ja. Td(off): 48 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V