Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF710

N-Kanal-Transistor, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF710
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N-Kanal-Transistor, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF710. N-Kanal-Transistor, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 400V. C(in): 170pF. Kosten): 34pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 6A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 36W. RoHS: ja. Td(off): 12 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 22:25.

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