Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - IRFBC30A

N-Kanal-Transistor, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - IRFBC30A
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N-Kanal-Transistor, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - IRFBC30A. N-Kanal-Transistor, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.2 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 510pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 14A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 74W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 19 ns. Td(on): 9.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 12:25.

Technische Dokumentation

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IRFBC30

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N-Kanal-Transistor, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.2 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 660pF. Kosten): 86pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 370 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 14A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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