Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v - Q67042-S4113

N-Kanal-Transistor, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v - Q67042-S4113
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N-Kanal-Transistor, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v - Q67042-S4113. N-Kanal-Transistor, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 2930pF. Kosten): 1150pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 380A. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N03L04. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 188W. RoHS: ja. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Cool Mos. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 14/06/2025, 19:25.

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IRLB8743PBF

IRLB8743PBF

N-Kanal-Transistor, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 100A. ID (T...
IRLB8743PBF
N-Kanal-Transistor, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.5M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 5110pF. Kosten): 960pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: UPS, DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 620A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Spec info: High Frequency Synchronous. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V
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N-Kanal-Transistor, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.5M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 5110pF. Kosten): 960pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: UPS, DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 620A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Spec info: High Frequency Synchronous. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V
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IRLB8748PBF

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N-Kanal-Transistor, 100A, 150A, 150uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 100A. ID (T...
IRLB8748PBF
N-Kanal-Transistor, 100A, 150A, 150uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.5M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 5110pF. Kosten): 960pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: UPS, DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 620A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V
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N-Kanal-Transistor, 100A, 150A, 150uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.5M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 5110pF. Kosten): 960pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: UPS, DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 620A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V
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STP80NF55-08

STP80NF55-08

N-Kanal-Transistor, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25...
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STP80NF06

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N-Kanal-Transistor, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25...
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N-Kanal-Transistor, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0065 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 3850pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SWITCHING APPLICATION. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P80NF06. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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N-Kanal-Transistor, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0065 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 3850pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SWITCHING APPLICATION. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P80NF06. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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