Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V - SPA11N65C3

N-Kanal-Transistor, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V - SPA11N65C3
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N-Kanal-Transistor, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V - SPA11N65C3. N-Kanal-Transistor, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 1200pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Isoliertes Gehäuse (2500 VAC, 1 Minute). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 33A. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N65C3. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 33W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 15/06/2025, 07:25.

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SPA11N80C3

SPA11N80C3

N-Kanal-Transistor, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ...
SPA11N80C3
N-Kanal-Transistor, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3-1. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 33A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N80C3. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 41W. Spec info: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
SPA11N80C3
N-Kanal-Transistor, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3-1. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 33A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N80C3. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 41W. Spec info: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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STF18NM60N

STF18NM60N

N-Kanal-Transistor, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T...
STF18NM60N
N-Kanal-Transistor, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1000pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 52A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 18NM60. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
STF18NM60N
N-Kanal-Transistor, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1000pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 52A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 18NM60. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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N-Kanal-Transistor, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25...
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STP11NM60FP

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N-Kanal-Transistor, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°...
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