Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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SPA11N80C3

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SPA11N80C3. C(in): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 41W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3-1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 09:25.

Technische Dokumentation

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SPP11N80C3

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Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max)...
SPP11N80C3
Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 11A. Pd (Verlustleistung, max): 156W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Cool Mos. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Funktion: ID pulse 33A. Menge pro Karton: 1
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Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 11A. Pd (Verlustleistung, max): 156W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Cool Mos. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Funktion: ID pulse 33A. Menge pro Karton: 1
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SPW11N80C3

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C(in): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktio...
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C(in): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 156W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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