N-P-MOSFET-Transistorpaar

MOSFET-Transistor. Funktion: STripFET™ II Power MOSFET. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: 2xN-CH 20V. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: N&P PowerTrench MOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 11W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Feldeffekttransistor mit doppeltem Verbesserungsmodus. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: Feldeffekttransistor mit doppeltem Verbesserungsmodus

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Pd (Verlustleistung, max): 11W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 4

MOSFET-Transistor. Funktion: SAMSUNG 0505-001417. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: SMD SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2