N-P-MOSFET-Transistorpaar

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Dual-MOSFET-Transistor, N- und P-Kanäle, „PowerTrench“. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Funktion: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Y4. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y4. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse (laut Datenblatt): SMT5. Menge pro Karton: 2

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 137 ns. Td(on): 36ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.45V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.2V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 290W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 170 ns. Td(on): 47 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

MOSFET-Transistor. Funktion: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.05R & 0.1R. ID (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET-Leistungs-MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Menge pro Karton: 2

MOSFET-Transistor. C(in): 780pF. Kosten): 430pF. Kanaltyp: N-P. Trr-Diode (Min.): 47 ns. Funktion: 0.029R & 0.58R. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F7319. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Hinweis: ( = P23AF 4532 SMD ). Hinweis: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: 28 & 65m Ohms). Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOP-8. Menge pro Karton: 2

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS

MOSFET-Transistor. C(in): 340pF. Kosten): 67pF. Kanaltyp: N-P. Trr-Diode (Min.): 30 ns. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS

MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: (G-S) MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

MOSFET-Transistor. Funktion: 9.31k Ohms. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: 2xN-CH 30V. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: SMD. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

MOSFET-Transistor. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Funktion: 9.31k Ohms. ID (T=100°C): 3.7A. IDSS (max): 3.2A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: 2xN-CH 60V. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

MOSFET-Transistor. Funktion: 9.31k Ohms. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: 2xN-CH 20V. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

MOSFET-Transistor. RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: Modul. Konfiguration: verschraubt. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SK85MH10. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 120ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 570 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 9100pF. Komponentenfamilie: Voll-MOSFET-Brücke, NMOS. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: SP8M4FU6TB. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms

MOSFET-Transistor. Funktion: STripFET™ Power MOSFET. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: 2xN-CH 30V. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2