Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NJW0281G. C(in): 4.5pF. Kosten): 10pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 30A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: PNP. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) NJW0281. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 23:25.

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