Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NJW1302. C(in): 9pF. Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30MHz. Funktion: Audio-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) NJW3281. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: Komplementärer bipolarer Leistungstransistor. Produktionsdatum: 201446. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 25A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Vebo: 5V. Technologie: Bipolarer Leistungstransistor. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJW3281A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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