NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Dreifach diffuser Planar“. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 5A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 5A, TO-247, TO-247, 600V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 600V, 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Kollektorstrom: 6A. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 6A, 600V. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 7A, 600V. Kollektorstrom: 7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, PCB-Löten, M31/J, 3A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M31/J. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1.5 kV. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W

NPN-Transistor, 4A, 1500V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 4A, 1500V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 3A, 600V. Kollektorstrom: 3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 5A, 600V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, PCB-Löten, M37/J, 6A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M37/J. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W

NPN-Transistor, 1A, 30 v. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 6A, 1500V. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: (F). Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: isoliert. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA (isoliert). Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 7A, 600V. Kollektorstrom: 7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 10A, 600V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA (isoliert). Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V

NPN-Transistor, 3.5A, 600V. Kollektorstrom: 3.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 600V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 2A, 700V. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1500V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 15. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 17A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 0.1A, 160V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF/SL. Hinweis: hFE 100...200. Spec info: 2SD1609-C. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 140. Ic(Impuls): 4A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1123S. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DF. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DF. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaxialer planarer Siliziumtransistor“. Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 2A, 60V. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Hinweis: hFE 200...400. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DF, Komplementärtransistor (Paar) 2SB1123T. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 140. Ic(Impuls): 6A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DG. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DG. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaktische planare Siliziumtransistoren“. Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V